Les lasers émettant dans le vert manquent actuellement d'efficacité, de puissance et de longévité. Des scientifiques financés par l'UE ont réalisé d'importantes avancées vers une nouvelle technologie, qui pourraient bientôt combler toutes ces lacunes.
Sous sa forme cristalline, le nitrure de gallium (GaN) est un
semi-conducteur qui dispose de propriétés optoélectroniques uniques qui
ouvrent la voie à la fabrication de lasers verts. Elles ont conduit à
des composants en nitrure de gallium indium (InGaN), qui émettent dans
le vert (longueurs d'onde de 510 à 570 nm). Cependant et en dépit de
récents progrès, il est encore très difficile de fabriquer des diodes
laser de haute qualité en InGaN.
Les scientifiques du projet
SINOPLE,
financé par l'UE, se sont attaqués aux causes techniques des
difficultés. L'équipe s'est intéressée à l'épitaxie par faisceau
moléculaire pour déposer des couches actives d'InGaN riches en indium,
sur des monocristaux de GaN quasiment exempts de dislocations.
Jusqu'ici, cette technique n'avait pas été utilisée pour intégrer une
concentration élevée d'indium (requise pour émettre dans le vert), et il
n'existait pas de connaissances détaillées sur les structures
hétérogènes de GaN et InGaN riches en indium.
En appliquant cette méthode, les chercheurs ont obtenu la croissance
épitaxiale d'InGaN avec un taux d'indium élevé (jusqu'à 20%), sur
divers substrats. Ils ont aussi réussi à exploiter l'InGaN sur de
l'oxyde de zinc. En cours de route, l'équipe a aussi inventé une méthode
très sensible utilisant le microscope électronique pour caractériser
les fluctuations d'indium avec une exactitude sans précédent.
Les chercheurs ont fabriqué divers lasers dans l'ultraviolet, le
bleu et le vert. Leur nouveau système d'épitaxie par faisceau
moléculaire a facilité la croissance de couches d'InGaN de plus haute
qualité, et conduit à un record en matière de diodes lasers au nitrure
et à pompage électrique, avec une émission à 482 nm.
L'équipe a aussi fabriqué des diodes laser 60 mW qui émettent en
continu à 450 nm, avec une durée de vie dépassant les 5 000 heures. Ces
résultats montrent que l'épitaxie par faisceau moléculaire peut
concurrencer la méthode classique de dépôt organométallique chimique en
phase vapeur (MOCVD). En outre, elle apporte une souplesse dans la
température de traitement et les substrats qui est inaccessible à la
MOCVD.
Le projet SINOPLE a notablement fait progresser la production de
lasers verts à LED, améliorant le rendement, la puissance et la durée de
vie. Les utilisations potentielles sont très nombreuses: depuis les
écrans d'affichage et les téléviseurs jusqu'à la biomédecine, nous
sommes au bord d'une nouveauté révélatrice.